[发明专利]半导体装置和电子设备在审
| 申请号： | 201810153683.2 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110190119A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 大泷健嗣;押野雄一;森川直树;刘会涛 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置包括：半导体衬底；第一掺杂区，其沿与形成于所述半导体衬底中的沟槽的宽度方向和深度方向都垂直的长度方向延伸；以及第二掺杂区，其形成于所述第一掺杂区中，所述第二掺杂区与所述长度方向垂直，被分离地设置。根据本申请，在半导体装置中，发射极区被分离地设置，从而减少从发射极区注入到半导体装置的基极区的载流子，因此，能够减缓半导体装置被锁定的情况，并且，改善半导体装置的负载短路容限特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 掺杂区 电子设备 发射极区 衬底 半导体 载流子 长度方向垂直 长度方向延伸 负载短路 垂直的 基极区 容限 申请 锁定 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：半导体衬底；第一掺杂区，其沿与形成于所述半导体衬底中的沟槽的宽度方向和深度方向都垂直的长度方向延伸；以及第二掺杂区，其形成于所述第一掺杂区中，所述第二掺杂区与所述长度方向垂直，被分离地设置。
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