[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810146168.1 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108493114A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 永冈达司 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：准备半导体基板的工序，该半导体基板具有欧姆接触层、漂移层及高比电阻层；形成上表面电极的工序，该上表面电极与漂移层及高比电阻层的各上表面接触并且其接触范围的外周缘位于高比电阻层上，该上表面电极至少与所述漂移层进行肖特基接触；及形成下表面电极的工序，该下表面电极与欧姆接触层的下表面进行欧姆接触。在半导体基板中，漂移层位于欧姆接触层的上表面的第一范围上，高比电阻层位于欧姆接触层的上表面的包围第一范围的第二范围上。 | ||
| 搜索关键词： | 高比电阻层 欧姆接触层 漂移层 半导体基板 上表面电极 上表面 半导体装置 下表面电极 肖特基接触 欧姆接触 外周缘 下表面 制造 包围 | ||
【主权项】：
1.一种制造方法，是半导体装置的制造方法，其中，包括：准备半导体基板的工序，所述半导体基板具有n型的欧姆接触层、n型的漂移层及n型的高比电阻层，所述漂移层位于所述欧姆接触层的上表面的第一范围上，并且载流子浓度比所述欧姆接触层低，所述高比电阻层位于所述欧姆接触层的所述上表面的包围所述第一范围的第二范围上，并且载流子浓度比所述漂移层低；形成上表面电极的工序，所述上表面电极与所述漂移层及所述高比电阻层的各上表面接触并且其接触范围的外周缘位于所述高比电阻层上，所述上表面电极至少与所述漂移层进行肖特基接触；及形成下表面电极的工序，所述下表面电极与所述欧姆接触层的下表面进行欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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