[发明专利]纳米结构阵列及其制备方法和装置在审
| 申请号： | 201810136784.9 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108557868A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 赵颖;汤洋;陈颉 | 申请（专利权）人： | 神华（北京）光伏科技研发有限公司 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 严政;刘依云 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及水热合成技术领域，公开了一种纳米结构阵列及其制备方法和装置。所述纳米结构阵列的制备方法包括：在恒温和匀速搅拌下，在密闭反应釜中，将反应溶液与生长基底接触以进行水热合成，其中，所述生长基底以垂直或平行于反应釜底面的方式设置于反应釜中。根据本发明所述的方法制备的ZnO纳米结构阵列的缺陷密度显著将低，从而具有较高的光学质量；而且，根据本发明所述的方法制备的ZnO纳米结构阵列在相同的生长时间下长度显著增加，从而极大提高了ZnO纳米结构阵列的生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米结构阵列 制备 方法和装置 反应釜 生长基 水热合成技术 密闭反应釜 反应溶液 方式设置 水热合成 生长 平行 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种纳米结构阵列的制备方法，该方法包括：在恒温和匀速搅拌下，在密闭反应釜中，将反应溶液与生长基底接触以进行水热合成，其中，所述生长基底以垂直或平行于反应釜底面的方式设置于反应釜中。
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