[发明专利]像素结构

摘要

一种像素结构包括薄膜晶体管以及与薄膜晶体管的漏极电性连接的像素电极。薄膜晶体管包括源极、漏极、半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层和栅极。半导体层位于源极与漏极上且具有通道。通道设置于源极与漏极之间且具有第一通孔。第一绝缘层位于半导体层上且具有与第一通孔重叠的第二通孔。第二绝缘层位于第一绝缘层上以及第一通孔与第二通孔中。栅极位于第二绝缘层上。

主权项

1.一种像素结构，包括：一薄膜晶体管，包括：一源极与一漏极；一半导体层，位于该源极与该漏极上且具有一通道，该通道设置于该源极与该漏极之间，其中该通道具有至少一第一通孔；一第一绝缘层，位于该半导体层上且具有至少一第二通孔，该至少一第二通孔与该至少一第一通孔重叠；一第二绝缘层，位于该第一绝缘层上以及该至少一第一通孔与该至少一第二通孔中；以及一栅极，位于该第二绝缘层上；以及一像素电极，与该薄膜晶体管的该漏极电性连接。