[发明专利]核壳量子点及其制备方法、及含其的电致发光器件

摘要

本发明提供了一种核壳量子点及其制备方法、及含其的电致发光器件。该核壳量子点的核是CdSeXS(1‑X)，量子点壳层包括第一和第二壳层，第一壳层选自ZnSe、ZnSeYS(1‑Y)和Cd(Z)Zn(1‑Z)S中的一种或多种，包覆第一壳层的第二壳层为Cd(Z)Zn(1‑Z)S或ZnS，核壳量子点的最大发射峰值≤480nm，X、Y、Z均大于0小于1。由于CdSeXS(1‑X)核的带宽较小，HOMO能级较浅，空穴容易注入；第一壳层材料能带介于核和第二壳层之间，不但降低了核的缺陷，提高了量子点光致发光效率，而且降低了载流子注入势垒，提高了外量子效率及寿命；该第二壳层钝化量子点，提高了整体的稳定性。

主权项

1.一种核壳量子点，其特征在于，其中量子点的核是CdSeXS(1‑X)，量子点壳层包括第一壳层和包覆所述第一壳层的第二壳层，所述第一壳层选自ZnSe、ZnSeYS(1‑Y)和Cd(Z)Zn(1‑Z)S中的一种或多种，第二壳层为Cd(Z)Zn(1‑Z)S或ZnS，所述核壳量子点的最大发射峰值小于等于480nm，其中，0＜X＜1，0＜Y＜1，0＜Z＜1。