[发明专利]RAM良率补救方法及装置有效
| 申请号： | 201810127735.9 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108231134B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 董阳;徐再望 | 申请（专利权）人： | 芯颖科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 逯恒 |
| 地址： | 200335 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种RAM良率补救方法及装置，属于自动检测领域。该方法首先通过对系统中多个随机存储器RAM进行测试，以获得出错的目标RAM，然后将预先对出错的所述目标RAM进行读写操作映射到没有出错的备份RAM的读写总线上，以对所述备份RAM进行读写操作，该方法对出错的RAM进行良率补救的方式简单，同时删除因RAM测试及存储RAM出错位置而加入的较大规模的电路，简化系统中的电路设计，降低了设计成本。 | ||
| 搜索关键词： | ram 补救 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种RAM良率补救方法，其特征在于，所述方法包括：对系统中多个随机存储器RAM进行测试，以获得出错的目标RAM；将预先对出错的所述目标RAM进行读写操作映射到没有出错的备份RAM的读写总线上，以对所述备份RAM进行读写操作。
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