[发明专利]RAM良率补救方法及装置

说明书

本发明实施例提供一种RAM良率补救方法及装置，属于自动检测领域。该方法首先通过对系统中多个随机存储器RAM进行测试，以获得出错的目标RAM，然后将预先对出错的所述目标RAM进行读写操作映射到没有出错的备份RAM的读写总线上，以对所述备份RAM进行读写操作，该方法对出错的RAM进行良率补救的方式简单，同时删除因RAM测试及存储RAM出错位置而加入的较大规模的电路，简化系统中的电路设计，降低了设计成本。

技术领域

本发明涉及自动检测技术领域，具体而言，涉及一种RAM良率补救方法及装置。

背景技术

在计算机及其应用系统中，随机存储器是用来记录存放原始数据、中间处理结果及其它信息的核心单元。随机存储器能否实现正常的读/写操作，并在存/取过程中不发生数据歧变，对于保证整个系统的正常工作十分重要。为此，有必要在系统开始工作前对随机存储器进行诊断。

随着半导体工艺的飞速发展，硅片集成度的提高，单位面积的硅片上所能实现的存储容量也在急剧增加。现在的单片存储器的存储容量已由70年代初的1Kbit增加到今天的64Mbit，并且还在快速地增加。因此，如何实现对大容量随机存取存储器RAM(RandomAccess Memory)的高速、高覆盖率的测试便尤其重要。

而现有技术中对RAM进行测试，然后判断出出错的RAM，对于出错的RAM需要进行良率补救，当前比较的Ram良率补救方案做法是根据ram word line或bit line的出错统计值，在ram中增加1个或多个word line或bit line，测试时发现哪个word line或bit line上的任一bit错误，系统会通过ram的补救输入总线将错误的word line或bit line替换为多增加的word line或bit line。但是，当IC系统中需要使用多块ram拼成容量较大的ram时，需要花费较大规模的测试电路及寄存器存储电路来测试定位和记录每块ram的出错位置信息，显然对于系统的设计是不利的。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种RAM良率补救方法及装置，以改善上述问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种RAM良率补救方法，所述方法包括：对系统中多个随机存储器RAM进行测试，以获得出错的目标RAM；将预先对出错的所述目标RAM进行读写操作映射到没有出错的备份RAM的读写总线上，以对所述备份RAM进行读写操作。

进一步地，对系统中多个随机存储器RAM进行测试，以获得出错的目标RAM，包括：对系统中多个随机存储器RAM中的目标RAM的多个地址单元中的每个地址单元对应写入第一目标数据；对每个地址单元写入的对应的第一目标数据进行读取，以获得从每个地址单元对应读取的第二目标数据；针对每个地址单元，判断对目标地址单元写入的对应的第一目标数据与从该目标地址单元对应读取的第二目标数据是否相同；在为否时，则确定所述目标RAM出错。

进一步地，确定所述目标RAM出错之后，所述方法还包括：记录所述目标RAN在所述系统中的编号。

进一步地，所述系统还包括N个备份RAM，N为大于等于1的正整数，确定所述目标RAM出错之后，所述方法还包括：对所述N个备份RAM进行出错判断；在判断M个备份RAM出错时，则确定可对出错的所述目标RAN进行良率补救，M为大于等于1小于N的正整数。

进一步地，对所述N个备份RAM进行出错判断，包括：针对每个备份RAM，对目标备份RAM的多个地址单元中的每个地址单元对应写入第三目标数据；对每个地址单元写入的对应的第三目标数据进行读取，以获得从每个地址单元对应读取的第四目标数据；针对每个地址单元，判断对目标地址单元写入的对应的第三目标数据与从该目标地址单元对应读取的第四目标数据是否相同；在为否时，则确定所述目标备份RAM出错。