[发明专利]RAM良率补救方法及装置有效

专利信息
申请号: 201810127735.9 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN108231134B 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 董阳;徐再望 申请(专利权)人: 芯颖科技有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56;G11C29/00
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 逯恒
地址: 200335 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: ram 补救 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种RAM良率补救方法,其特征在于,所述方法包括:

对系统中多个随机存储器RAM进行测试,以获得出错的目标RAM;

将预先对出错的所述目标RAM进行读写操作映射到没有出错的备份RAM的读写总线上,以对所述备份RAM进行读写操作;

所述系统还包括N个备份RAM,N个备份RAM与系统中多个RAM共享读写总线,N为大于等于1的正整数,确定所述目标RAM出错之后,所述方法还包括:

对所述N个备份RAM进行出错判断;

在判断M个备份RAM出错时,则基于没有出错的备份RAM对出错的所述目标RAM进行良率补救,M为大于等于1小于N的正整数。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对系统中多个随机存储器RAM进行测试,以获得出错的目标RAM,包括:

对系统中多个随机存储器RAM中的目标RAM的多个地址单元中的每个地址单元对应写入第一目标数据;

对每个地址单元写入的对应的第一目标数据进行读取,以获得从每个地址单元对应读取的第二目标数据;

针对每个地址单元,判断对目标地址单元写入的对应的第一目标数据与从该目标地址单元对应读取的第二目标数据是否相同;

在为否时,则确定所述目标RAM出错。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,确定所述目标RAM出错之后,所述方法还包括:

记录所述目标RAM在所述系统中的编号。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,对所述N个备份RAM进行出错判断,包括:

针对每个备份RAM,对目标备份RAM的多个地址单元中的每个地址单元对应写入第三目标数据;

对每个地址单元写入的对应的第三目标数据进行读取,以获得从每个地址单元对应读取的第四目标数据;

针对每个地址单元,判断对目标地址单元写入的对应的第三目标数据与从该目标地址单元对应读取的第四目标数据是否相同;

在为否时,则确定所述目标备份RAM出错。

5.一种RAM良率补救装置,其特征在于,所述装置包括:

测试模块,用于对系统中多个随机存储器RAM进行测试,以获得出错的目标RAM;

良率补救模块,用于将预先对出错的所述目标RAM进行读写操作映射到没有出错的备份RAM的读写总线上,以对所述备份RAM进行读写操作;

所述系统还包括N个备份RAM,N个备份RAM与系统中多个RAM共享读写总线,N为大于等于1的正整数,所述测试模块还包括:

出错判断单元,用于对所述N个备份RAM进行出错判断,在判断M个备份RAM出错时,则基于没有出错的备份RAM对出错的所述目标RAM进行良率补救,M为大于等于1小于N的正整数。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述测试模块包括:

数据写入单元,用于对系统中多个随机存储器RAM中的目标RAM的多个地址单元中的每个地址单元对应写入第一目标数据;

数据读取单元,用于对每个地址单元写入的对应的第一目标数据进行读取,以获得从每个地址单元对应读取的第二目标数据;

数据比较单元,用于针对每个地址单元,判断对目标地址单元写入的对应的第一目标数据与从该目标地址单元对应读取的第二目标数据是否相同;

确定出错单元,用于在对目标地址单元写入的对应的第一目标数据与从该目标地址单元对应读取的第二目标数据不相同时,确定所述目标RAM出错。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述测试模块还包括:编号记录单元,用于记录所述目标RAM在所述系统中的编号。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述出错判断单元包括:

数据写入单元,用于针对每个备份RAM,对目标备份RAM的多个地址单元中的每个地址单元对应写入第三目标数据;

数据读取单元,用于对每个地址单元写入的对应的第三目标数据进行读取,以获得从每个地址单元对应读取的第四目标数据;

数据比较单元,用于针对每个地址单元,判断对目标地址单元写入的对应的第三目标数据与从该目标地址单元对应读取的第四目标数据是否相同;

出错确定单元,用于在对目标地址单元写入的对应的第三目标数据与从该目标地址单元对应读取的第四目标数据不相同时,则确定所述目标备份RAM出错。

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