[发明专利]一种控制IN718合金均匀析出δ相的热处理方法有效
| 申请号： | 201810126648.1 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108385045B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 孙明月;胡鑫;张健杨;徐斌;刘生;刘朝晖;李殿中 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22F1/10 | 分类号： | C22F1/10 |
| 代理公司： | 21234 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及高温合金的热加工领域，具体为一种控制IN718合金均匀析出δ相的热处理方法。该方法包括下述工艺步骤：1)将待处理的IN718合金在1020℃以上保温，然后水冷至室温。2)将步骤1)处理的合金在700～900℃保温。3)将步骤2)处理的合金在900～1000℃保温，然后空冷至室温，既得。本发明通过改变δ相的析出方式——由从奥氏体中直接析出改变为先析出γ″相，由γ″相转变为δ相，这种析出方式使δ相相均匀分布在晶内和晶界，改善δ相在晶界处的偏聚。 | ||
| 搜索关键词： | 析出 合金 保温 热处理 晶界 热加工领域 高温合金 工艺步骤 奥氏体 空冷 偏聚 水冷 | ||
【主权项】：
1.一种控制IN718合金均匀析出δ相的热处理方法，其特征在于，包含下述工艺步骤：/n1）将待处理的IN718合金在1020℃~1100℃保温，然后水冷至室温；/n2）将步骤1）处理的合金在700~900℃保温；/n3）将步骤2）处理的合金在900~1000℃保温，然后水冷至室温，即得；/n步骤1）、步骤2）和步骤3）中，将合金试样放入热处理炉中，待温度升至设定温度保温2min后开始计时，升温速率不得高于200℃/h；/n步骤2）和步骤3）之间是连续实施，即步骤2)结束后直接将热处理炉温度升至900℃，升温速率不得超过200℃/h。/n
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