[发明专利]可控磁场下磁敏器件的压阻/剪阻性能的测试装置有效

专利信息
申请号: 201810114291.5 申请日: 2018-02-05
公开(公告)号: CN108387780B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 李锐;王明连;任德均;陈翔;杨平安;周梦娇;朱洪浪;冯丹 申请(专利权)人: 重庆邮电大学
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02;G01L11/00;G01R33/02;G01R31/00
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 吕小琴
地址: 400065 *** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种可控磁场下磁敏器件的压阻/剪阻性能的测试装置,其包括用于向待测器件施加压力/剪力的施力装置,用于为待测器件提供可控磁场的磁场发生装置,以及用于实时采集并存储施加在待测器件上的压力信息、磁场强度及其自身的电阻信息的信号采集装置,以及用于根据采集到的所述压力信息、磁场强度和电阻信息计算得到待测器件在不同磁场下的压阻/剪阻信息。该发明提出了一种新型力学传感器夹具设计方案,可以使压阻/剪阻的测试在同一台设备上进行;通过在装置中增加了磁场发生装置可对器件进行不同磁场下的压阻剪阻性能测试。
搜索关键词: 可控 磁场 下磁敏 器件 性能 测试 装置
【主权项】:
1.一种可控磁场下磁敏器件的压阻/剪阻性能的测试装置,其特征在于,包括用于向待测器件施加压力/剪力的施力装置,用于为待测器件提供可控磁场的磁场发生装置,以及用于实时采集并存储施加在待测器件上的压力信息、磁场强度及其自身的电阻信息的信号采集装置,以及用于根据采集到的所述压力信息、磁场强度和电阻信息计算得到待测器件在不同磁场下的压阻/剪阻信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆邮电大学,未经重庆邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810114291.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top