[发明专利]参考电压产生器电路有效
| 申请号： | 201810109133.0 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108388300B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 伊万·杰西·里波罗皮门特尔;格哈德·马丁·兰道尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种参考电压产生器电路(100)，其包括具有第一沟道类型的第一晶体管(101)和具有第二沟道类型的第二晶体管(102)。电流源(104)连接到所述第一晶体管(101)的源极端。所述第二晶体管(102)的漏极端连接到所述第一晶体管(101)的漏极端。所述参考电压产生器电路(100)另外包括具有所述第二沟道类型的第三晶体管(103)，其中所述第三晶体管(103)的漏极端连接到所述第二晶体管(102)的源极端。所述第二晶体管(102)的所述源极端与所述第三晶体管(103)的所述漏极端之间的节点连接到所述第一晶体管(101)的栅极端。在所述电流源(104)与所述第一晶体管(101)的所述源极端之间提供用于参考电压(Vrc)的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 电压 产生器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种参考电压产生器电路，其特征在于，包括：第一晶体管，其具有第一沟道类型；电流源，其连接到所述第一晶体管的源极端；第二晶体管，其具有第二沟道类型，其中所述第二晶体管的漏极端连接到所述第一晶体管的漏极端；以及第三晶体管，其具有所述第二沟道类型，其中所述第三晶体管的漏极端连接到所述第二晶体管的源极端，且所述第二晶体管的所述源极端与所述第三晶体管的所述漏极端之间的节点连接到所述第一晶体管的栅极端，其中在所述电流源与所述第一晶体管的所述源极端之间提供用于参考电压的连接。
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