[发明专利]参考电压产生器电路有效
| 申请号： | 201810109133.0 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108388300B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 伊万·杰西·里波罗皮门特尔;格哈德·马丁·兰道尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参考 电压 产生器 电路 | ||
1.一种参考电压产生器电路，其特征在于，包括：
第一晶体管，其具有第一沟道类型，并且其具有源极端、漏极端和栅极端；
电流源，其连接到所述第一晶体管的所述源极端；
第二晶体管，其具有第二沟道类型，并且其具有源极端、漏极端和栅极端，其中所述第二沟道类型与所述第一沟道类型相反，并且其中，所述第二晶体管的所述漏极端连接到所述第一晶体管的所述漏极端；以及
第三晶体管，其具有所述第二沟道类型，并且其具有源极端、漏极端和栅极端，其中所述第三晶体管的所述漏极端连接到所述第二晶体管的所述源极端，且所述第二晶体管的所述源极端与所述第三晶体管的所述漏极端之间的节点连接到所述第一晶体管的所述栅极端，
其中所述第二晶体管和所述第三晶体管的各自的栅极连接到所述第二晶体管的所述漏极端，
其中在所述电流源与所述第一晶体管的所述源极端之间提供用于参考电压的连接。
2.根据权利要求1所述的参考电压产生器电路，其特征在于，所述节点处的电压的温度依赖性补偿所述第一晶体管的温度依赖性。
3.根据权利要求2所述的参考电压产生器电路，其特征在于，所述第二和第三晶体管的几何大小被选择成使得所述节点处的所述电压的所述温度依赖性补偿所述第一晶体管的栅极-源极电压的温度依赖性。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的参考电压产生器电路，其特征在于，所述节点处的所述电压的所述温度依赖性被配置成产生所述参考电压的预选定温度系数。
5.根据权利要求1所述的参考电压产生器电路，其特征在于，所述第一晶体管的本体端连接到所述第一晶体管的所述源极端。
6.根据权利要求1所述的参考电压产生器电路，其特征在于，所述电流源被配置成提供在-40℃到90℃的温度范围内变化小于1％的电流。
7.根据权利要求1所述的参考电压产生器电路，其特征在于，所述参考电压在-40℃到90℃的温度范围内变化小于1％。
8.根据权利要求1所述的参考电压产生器电路，其特征在于，所述参考电压产生器电路的几何面积小于200μm2。
9.根据权利要求1所述的参考电压产生器电路，其特征在于，所述第一沟道类型是p沟道且所述第二沟道类型是n沟道。
10.一种RFID标签，其特征在于，包括根据权利要求1到9中任一项权利要求所述的参考电压产生器电路。
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