[发明专利]参考电压产生器电路

说明书

公开一种参考电压产生器电路(100)，其包括具有第一沟道类型的第一晶体管(101)和具有第二沟道类型的第二晶体管(102)。电流源(104)连接到所述第一晶体管(101)的源极端。所述第二晶体管(102)的漏极端连接到所述第一晶体管(101)的漏极端。所述参考电压产生器电路(100)另外包括具有所述第二沟道类型的第三晶体管(103)，其中所述第三晶体管(103)的漏极端连接到所述第二晶体管(102)的源极端。所述第二晶体管(102)的所述源极端与所述第三晶体管(103)的所述漏极端之间的节点连接到所述第一晶体管(101)的栅极端。在所述电流源(104)与所述第一晶体管(101)的所述源极端之间提供用于参考电压(Vrc)的连接。

技术领域

本公开涉及参考电压产生器电路。

背景技术

射频识别(RFID)标签通常用于存储可以无线方式询问的信息。信息可存储于含于标签中的非易失性存储器中。为缩小大小和降低成本，无源RFID标签不含有电池；电力代替地由外部场提供。对于一些操作，例如存储器的擦除和编程，需要高电压。高电压可利用电荷泵实现，但必须控制电压电平以免损坏标签且确保电压被调谐用于最优存储器性能。可使用参考电压控制电压。参考电压应理想地提供在标签的所有操作温度下均恒定的电压。

用于生产例如带隙参考电压的参考电压的常规技术通常需要大电流(约1μA)和/或占用大物理面积(约10000μm²)。然而，对于无源RFID标签，可用电流和物理面积受到限制。因此，常规参考电压可能消耗高比例的此类RFID标签的可用空间和电流。

发明内容

根据第一方面，提供参考电压产生器电路，其包括：

第一晶体管，其具有第一沟道类型；

电流源，其连接到所述第一晶体管的源极端；

第二晶体管，其具有第二沟道类型，其中所述第二晶体管的漏极端连接到所述第一晶体管的漏极端；以及

第三晶体管，其具有所述第二沟道类型，其中所述第三晶体管的漏极端连接到所述第二晶体管的源极端，所述第二晶体管的所述源极端与所述第三晶体管的所述漏极端之间的节点连接到所述第一晶体管的栅极端，

其中在所述电流源与所述第一晶体管的所述源极端之间提供用于参考电压的连接。

在一些实施例中，第一沟道类型可以是p沟道，且第二沟道类型为n沟道。在其它实施例中，第一沟道类型可以是n沟道且第二沟道类型为p沟道。

电路可仅使用小电流提供参考电压，且仅需要小物理面积，使得参考电压产生器电路尤其适合用于无源RFID标签中，以及具有物理面积和电流限制的其它应用中。电流源可以是电流参考。可再使用来自装置或标签的其它组件的电流源，例如可需要电流参考以用于标签的其它功能，可再使用电流参考以在需要参考电压时产生参考电压。

在一些实施例中，第一晶体管的本体端可连接到第一晶体管的源极端。本体端到源极端而非到供应电压轨的连接可提供较高电源抑制比和较高的参考电压的温度系数独立于供应电压的独立性。

节点处的电压的温度依赖性可补偿第一晶体管的温度依赖性。节点处电压的温度依赖性可适用于产生电压参考的稳定和/或预选定温度系数。预选定温度系数可以是零、小于零，或大于零。稳定的温度系数可意指温度系数大体上独立于温度。通常，MOS晶体管具有负温度系数，即晶体管的阈值电压随温度减小。节点处的电压可具有与第一晶体管相反的温度系数，以至少部分地抵消第一晶体管的任何温度效应，且因此调整参考电压的温度系数，从而例如产生具有稳定的和/或预选定的温度系数的参考电压。在一些实施例中，节点处的电压的温度依赖性可大体上抵消第一晶体管的任何温度依赖性，从而产生至少在所要温度操作范围内大体上独立于温度的参考电压。