[发明专利]晶圆键合结构及晶圆键合方法

摘要

本发明提供了一种晶圆键合结构及晶圆键合方法，在形成第一氧化物层之后，还形成第二氧化物层，所述第二氧化物层的致密度较所述第一氧化物层的致密度高，由此使得所述第二氧化物层较所述第一氧化物层具有更高的粘附性，从而通过所述第二氧化物层将器件晶圆和负载晶圆键合在一起时能够提高器件晶圆和负载晶圆之间的粘合力，提高了所形成的晶圆键合结构的可靠性。

主权项

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，所述晶圆键合方法包括：形成一第一氧化物层于一器件晶圆上；形成一第二氧化物层于所述器件晶圆上，所述第二氧化物层覆盖所述第一氧化物层，所述第二氧化物层的致密度较所述第一氧化物层的致密度高；将所述器件晶圆上的所述第二氧化物层与一负载晶圆键合。