[发明专利]获得刻蚀深度极限值的方法有效
| 申请号： | 201810107621.8 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN110137097B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 林源为 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06F17/11 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种获得刻蚀深度极限值的方法，包括以下步骤：S1，输入至少三组数据，每组数据包括刻蚀深度的值和对应的工艺循环次数；S2，计算各组数据中的平均刻蚀率，该平均刻蚀率为刻蚀深度的值与工艺循环次数的比值；S3，利用线性拟合的方法拟合出平均刻蚀率与工艺循环次数之间关系的线性方程；S4，根据线性方程获得刻蚀深度与工艺循环次数之间关系的二次曲线，并根据二次曲线计算刻蚀深度的极限值。本发明提供的获得刻蚀深度极限值的方法，其可以采用较少的试验次数获得刻蚀深度极限值，从而可以降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 刻蚀 深度 极限值 方法 | ||
【主权项】：
1.一种获得刻蚀深度极限值的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，输入至少三组数据，每组数据包括刻蚀深度的值和对应的工艺循环次数；S2，计算各组所述数据中的平均刻蚀率，所述平均刻蚀率为所述刻蚀深度的值与所述工艺循环次数的比值；S3，利用线性拟合的方法拟合出所述平均刻蚀率与所述工艺循环次数之间关系的线性方程；S4，根据所述线性方程获得刻蚀深度与工艺循环次数之间关系的二次曲线，并根据二次曲线计算刻蚀深度的极限值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
