[发明专利]用于恶劣介质应用的键合焊盘保护

摘要

本发明涉及用于制造半导体器件的方法并且涉及用于在恶劣介质中使用的相关半导体器件(1，2，3，4，5，6)。所述半导体器件包括：硅管芯(420)，所述硅管芯包括金属接触区(422)；以及至少一个钝化层(421)，所述至少一个钝化层覆盖所述半导体管芯(420)并且被图案化从而形成通向所述半导体管芯(420)的所述金属接触区(422)的开口。所述器件还包括接触层(428，128，528)的连续部分(301)，所述接触层包括耐火金属。这个连续部分(301)与所述至少一个钝化层(421)中的所述开口重叠并完全覆盖所述开口，在所述开口中与所述金属接触区(422)接触并且沿着所述连续部分(301)的整个边缘粘合至所述至少一个钝化层(421)。所述接触层包括至少粘合层和至少扩散阻挡层。所述器件进一步包括：贵金属层，布置在所述接触层的上方并完全覆盖所述连续部分(301)，其中，所述贵金属层在所述连续部分(301)的整个边缘上方延伸从而粘合至围绕所述连续部分(301)的边缘所述至少一个钝化层(421)。

主权项

1.一种用于制造在恶劣介质中使用的半导体器件的方法，所述方法包括：‑提供包括金属接触区(422)的半导体管芯(420)；‑由至少一个钝化层(421)来覆盖所述半导体管芯(420)，并且对所述至少一个钝化层(421)进行图案化，从而形成开口以便暴露所述半导体管芯(420)的所述金属接触区(422)；‑在暴露的金属接触区(422)上形成包括耐火金属的接触层(428；128；528)，其中，所述接触层包括至少粘合层和至少扩散阻挡层；‑对所述接触层进行图案化，从而通过围绕所述接触层的连续部分(301)的整个边缘暴露所述至少一个钝化层(421)以在所述暴露的金属接触区(422)上方限定所述连续部分，其中，所述接触层的所述连续部分(301)与所述至少一个钝化层(421)中的所述开口重叠并完全覆盖所述开口；以及‑在所述接触层(428；128；528)上方提供贵金属层，从而完全覆盖所述接触层的所述连续部分(301)，其中，所述贵金属层还在所述接触层的所述连续部分(301)的所述边缘上方延伸，从而粘合至围绕所述连续部分(301)的边缘的被暴露的所述至少一个钝化层(421)，其中，所述提供所述贵金属层包括：在所述接触层的所述连续部分(301)上并且在围绕所述连续部分的边缘的被暴露的所述至少一个钝化层上溅射所述贵金属，从而通过在所述溅射的贵金属与所述接触层之间并且在所述溅射的贵金属与所述至少一个钝化层之间进行原子键合来建立机械连接。