[发明专利]像素单元和形成方法以及成像系统组件有效
申请号: | 201810099785.0 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108281452B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 徐辰;高秉强;邵泽旭 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种像素单元,包括一光电二极管,一读出电路,及一垂直通道传输晶体管。所述光电二极管设置于第一半导体芯片的第一基底内,累积图像电荷以响应于入射光到光电二极管。所述读出电路设置于第二半导体芯片的第二基底内。所述垂直通道传输晶体管连接到所述光电二极管和所述读出电路将图像的电荷从所述光电二极管传输到所述读出电路。 | ||
搜索关键词: | 像素 单元 形成 方法 以及 成像 系统 组件 | ||
【主权项】:
1.一种像素单元,包括:光电二极管,设置于第一半导体芯片的第一基底内,用于累积图像电荷以响应到其上的入射光;读出电路,设置于第二半导体芯片的第二基底内;以及垂直通道传输晶体管,连接于所述光电二极管和所述读出电路之间,将图像电荷从所述光电二极管传输至所述读出电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的