[发明专利]偏光片的剥离设备及其剥离方法有效
| 申请号： | 201810093527.1 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108284661B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 易国霞 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | B32B38/10 | 分类号： | B32B38/10 |
| 代理公司： | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种偏光片的剥离设备及其剥离方法，所述剥离方法包括步骤：将偏光片划分为多个刻蚀区域；沿预定轨迹依次对所述多个刻蚀区域进行离子束刻蚀；去除显示面板上未被离子束刻蚀的偏光片。本发明提出的偏光片的剥离方法，通过离子束沿预定轨迹依次对所述多个刻蚀区域进行刻蚀，可以避免直接通过外力撕开偏光片而造成偏光片断裂及对其他膜层造成损坏的现象，提升了剥离效率。 | ||
| 搜索关键词： | 偏光片 剥离 刻蚀区域 离子束刻蚀 剥离设备 预定轨迹 显示面板 离子束 刻蚀 膜层 去除 断裂 | ||
【主权项】：
1.一种偏光片的剥离方法，其特征在于，包括步骤：/n将偏光片划分为多个刻蚀区域；/n沿预定轨迹依次对所述多个刻蚀区域进行离子束刻蚀；/n去除显示面板上未被离子束刻蚀的偏光片，/n其中，所述步骤沿预定轨迹依次对所述多个刻蚀区域进行离子束刻蚀具体包括：/n对位于所述预定轨迹上的第一个刻蚀区域进行离子束刻蚀；/n记录刻蚀至露出显示面板时的刻蚀参数，所述刻蚀参数包括离子束的光斑的大小、强度及刻蚀时间；/n利用所述刻蚀参数依次对所述多个刻蚀区域中其他的刻蚀区域进行离子束刻蚀。/n
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