[发明专利]图像传感器、图像系统及图像传感器制造方法有效
申请号: | 201810093284.1 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108461511B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 戴森·H·戴;杨存宇;陈刚;叶菁;高喜峰;邢家明 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请案揭示一种图像传感器、图像系统及图像传感器制造方法。所述图像传感器包含具有前侧及与所述前侧相对的背侧的半导体材料。所述图像传感器还包含浅沟槽隔离STI结构、层间电介质、金属间电介质及接触区。所述STI结构从所述半导体材料的所述前侧延伸到所述半导体材料中。所述层间电介质安置在所述半导体材料的所述前侧与所述金属间电介质之间。所述接触区接近于所述半导体材料的横向边缘而安置。所述接触区包含安置在所述金属间电介质内的金属互连件以及至少部分地安置在所述层间电介质内的多个接触插塞。所述接触区还包含接触垫。所述多个接触插塞耦合在所述接触垫与所述金属互连件之间。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 图像 系统 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其包括:半导体材料,其具有前侧及与所述前侧相对的背侧;浅沟槽隔离STI结构,其从所述半导体材料的所述前侧延伸到所述半导体材料中;层间电介质,其安置在所述半导体材料的所述前侧与金属间电介质之间;以及接触区,其接近于所述半导体材料的横向边缘而安置,所述接触区包含:金属互连件,其安置在所述金属间电介质内;多个接触插塞,其至少部分地安置在所述层间电介质内;以及接触垫,其中所述多个接触插塞耦合在所述接触垫与所述金属互连件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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