[发明专利]一种可控助剂和界面修复的铜铟镓硒电极及其制备方法和在光催化中的应用

摘要

本发明公开了一种可控助剂和界面修复的铜铟镓硒电极及其制备方法和在光催化中的应用，用化学浴沉积的方法在CIGS基底上生长出CdS薄膜，在此基础上，通过原子层沉积的方法在CdS薄膜上依次沉积Al2O3和TiO2薄膜，之后通过直流溅射的方法在TiO2上溅射少量Pt颗粒，然后将这个电极作为光阴极，在光照的条件下施加一定偏压，原位生长光电沉积的Pt颗粒，完成整个电极的制备，且方法简便易行，可控性强，产氢效率高。

主权项

1.一种可控助剂和界面修复的铜铟镓硒电极，其特征在于：在CIGS基底上化学浴沉积生长出的CdS薄膜，在CdS薄膜上原子层依次沉积Al₂O₃薄膜和TiO₂薄膜，在TiO₂薄膜上直流溅射Pt颗粒，再以其为基础原位生长光电沉积Pt助催化剂；所述的CIGS基底厚度为1‑1.5μm，晶粒尺寸为0.8‑1.2μm，Ga与(Ga+In)的摩尔比为0.3；所述的CdS薄膜厚度为45‑55nm，所述的Al₂O₃薄膜厚度为9‑10nm，所述的TiO₂薄膜厚度为9‑10nm，所述的Pt助催化剂层的Pt颗粒粒径为2.5nm。