[发明专利]用于压印的下层膜形成用组合物以及图案形成方法有效
| 申请号： | 201810078813.0 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108363272B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 昆野健理 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/075 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 侯莉;毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供用于压印的下层膜形成用组合物以及使用了该下层膜形成用组合物的图案形成方法，所述下层膜形成用组合物适合用于利用蚀刻法的图案的形成，能够分别将下层膜与纳米压印用固化性树脂层的蚀刻选择比、下层膜与金属膜的蚀刻选择比控制在最适当的范围，而且向基板的涂布性良好。一种用于压印的下层膜形成用组合物，含有(A)二氧化硅粒子、(B)光聚合性化合物、(C)光聚合引发剂、(D)溶剂，其特征在于，所述(A)二氧化硅粒子以及所述(B)光聚合性化合物的总量100质量份中的所述(A)二氧化硅粒子的含量超过20质量份，且不足90质量份。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 压印 下层 形成 组合 以及 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于压印的下层膜形成用组合物，含有(A)二氧化硅粒子、(B)光聚合性化合物、(C)光聚合引发剂和(D)溶剂，其特征在于，所述(A)二氧化硅粒子以及所述(B)光聚合性化合物的总量100质量份中，所述(A)二氧化硅粒子的含量超过20质量份，且不足90质量份。
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