[发明专利]氧化镓保护层梯度体异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810076906.X 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN108281560B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 方国家;马俊杰 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 薛玲
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种基于氧化镓保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述的钙钛矿电池是由透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和金属电极组成的。使用工艺简单、低温沉积的原子层沉底法制备高质量的氧化镓薄膜作为电子传输层与金属电极之间缓冲层,有效改善器件的光伏性能,并且其无机疏水的特性可作为保护层,有效隔绝外界环境对电池的侵蚀,提升器件的稳定性。本发明还使用非富勒烯材料IDIC溶解到绿色环保溶剂乙酸乙酯中,制备出梯度异质结钙钛矿薄膜,有效钝化钙钛矿的缺陷,提升器件性能,减轻薄膜制备的毒性环境。
搜索关键词: 氧化 保护层 梯度 体异质结钙钛矿 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于氧化镓保护层的倒置梯度体异质结钙钛矿太阳能电池,包括透明导电衬底以及自下而上依次层叠的空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层,电子传输保护层以及金属电极,其特征在于,所述钙钛矿吸光层含有IDIC受体材料和/或采用Ga2O3作为电子传输保护层材料。
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