[发明专利]一种贯穿空腔结构硅片的加工方法有效
| 申请号： | 201810075852.5 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110078017B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李响 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种贯穿空腔结构硅片的加工方法，其特征在于：其依次按照下述要求进行操作：对硅片或图形片进行离子注入；植入假底，使用硅片与图形片键合；磨抛，减薄图形片至露出图形的深度；键合；剥离假底。相对于现有技术而言，本发明操作规范，产品质量能够得到有效保证；且产品的性价比高，综合技术效果优良；其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 贯穿 空腔 结构 硅片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种贯穿空腔结构硅片的加工方法，其特征在于：其依次按照下述要求进行操作：①对硅片或图形片进行离子注入；②植入假底，使用硅片与图形片键合；③通过机械研磨或/和化学抛光方法进行磨抛，以被键合的硅片即假底为衬底，减薄图形片，研磨到露出图形的深度，暴露出原本未露出的空腔；④键合，将完成①②两步骤的两片硅片，进行图形对图形的键合；⑤剥离假底，通过低温退火和微波裂片操作将完成保护作用的假底剥离掉，实现贯穿结构的硅片。
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