[发明专利]一种提高InAs单量子点荧光提取效率的方法

摘要

本发明公开了一种提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，属于InAs单量子点发光的提取技术领域。通过分子束外延的方法在砷化镓衬底上生长GaAs缓冲层，再依次生长100nm的砷化铝层、GaAs层、砷化铟量子点及GaAs覆盖层。将黑色蜡状物质Apiezon W涂在上述样品的上表面作为保护，然后放在氢氟酸溶液中，并在溶液中放置金属钛加速氢氟酸酸与AlAs牺牲层的化学反应，在AlAs牺牲层被腐蚀后，将包含有InAs的GaAs‑InAs量子点‑GaAs三明治结构薄层通过范德瓦尔斯力的作用吸附在金纳米颗粒的金膜上，形成附着在金纳米颗粒的金膜上的量子点样品。

主权项

1.一种提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，其特征在于，所述方法具体包括：步骤A 通过在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、AlAs牺牲层、GaAs层、InAs单量量子层点和GaAs盖层，获得InAs/GaAs量子点样品；步骤B 在制备获得的InAs/GaAs量子点样品的表面上覆盖黑色蜡状物质Apiezon W；步骤C 将涂有Apiezon W保护层的InAs/GaAs量子点样品放在氢氟酸溶液中，获得的GaAs‑InAs量子点‑GaAs三明治结构薄层；步骤D 在一定的衬底上生长金膜，然后放置在氢氟酸溶液中腐蚀，形成表面粗糙度为‑10nm量级的金纳米颗粒薄膜；步骤E 将步骤C中获得的GaAs‑InAs量子点‑GaAs三明治结构薄层吸附在步骤D中获得的金纳米颗粒薄膜上，形成附着在金纳米颗粒薄膜上的InAs/GaAs量子点样品。