[发明专利]检查掩模图案、制造掩模以及制造半导体装置的方法

摘要

本公开涉及检查掩模图案、制造掩模以及制造半导体装置的方法。为了缩短光刻一致性查验中的风险度确定所需的时间。当对在光刻一致性查验中提取的每个检测点进行归类时，为每个检测点提供均以检测点为中心的垂直长检测区域和水平长检测区域。此外，基于包括在垂直长检测区域中的每个图案的标识以及包括在水平长检测区域中的每个图案的标识对多个检测点进行归类。

主权项

1.一种检查掩模图案的方法，包括：第一过程，将通过对所述掩模图案执行光刻仿真获得的要检查的图案与预先确定的目标图案进行比较，从而提取故障预测点作为检测点；以及第二过程，为在所述第一过程中提取的每个检测点提供以所述检测点为中心的垂直长检测区域和以所述检测点为中心的水平长检测区域，并且基于包括在所述垂直长检测区域中的图案的标识和包括在所述水平长检测区域中的图案的标识对多个所述检测点进行归类，其中所述垂直长检测区域是在垂直方向上比在水平方向上长的矩形检测区域，并且其中所述水平长检测区域是在所述水平方向上比在所述垂直方向上长的矩形检测区域。