[发明专利]检查掩模图案、制造掩模以及制造半导体装置的方法

说明书

本公开涉及检查掩模图案、制造掩模以及制造半导体装置的方法。为了缩短光刻一致性查验中的风险度确定所需的时间。当对在光刻一致性查验中提取的每个检测点进行归类时，为每个检测点提供均以检测点为中心的垂直长检测区域和水平长检测区域。此外，基于包括在垂直长检测区域中的每个图案的标识以及包括在水平长检测区域中的每个图案的标识对多个检测点进行归类。

相关申请的交叉引用

2017年1月31日提交的日本专利申请No.2017-015498的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用被整体并入本文。

技术领域

本发明涉及检查掩模图案的方法、制造掩模的方法以及制造半导体装置的方法，并且例如涉及光刻一致性查验的技术。

背景技术

例如在专利文献1中示出了一种提取危险图案(hazardouspattern)并且针对每种形状对它们进行分类从而自动地选择代表性图案的图案检查方法，在危险图案中，要在晶片之上形成的目标图案与掩模的转移图案之间的形状差异大。具体而言，首先，将掩模上的区域分成多个小区域，然后对每个小区域比较目标图案和转移图案，从而提取危险点的坐标值。之后，将所提取的坐标值中的位于小区域的周边部分的坐标值作为伪危险点而消除。基于其余的坐标值来选择危险图案。针对每种形状对危险图案进行分类以确定代表性图案。

[相关技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本未审查专利公开特开No.2007-266391

发明内容

例如，当开发/制造应用了90nm或更小的技术节点的半导体装置时，在图案转移原板(光掩模)的制造之前进行称为光刻一致性查验(在本说明书中缩写为LCC)等的仿真。LCC是通过以掩模图案或光学临近修正(OPC)之后的掩模图案作为对象预先进行仿真而防止包括导致制造故障和成品率降低的各图案的光掩模流出的过程。

在LCC中，如专利文献1中所示，例如，进行通过使用EDA(电子设计自动化)工具提取具有导致制造故障和成品率降低的高可能性的危险图案的过程，以及进行针对每种形状对危险图案进行归类的过程。当提取该危险图案时，通常针对每个危险点设置以该危险点的坐标值为中心的具有预先确定的尺寸的正方形检测区域。EDA工具基于包括在正方形检测区域中的每种图案形状的标识对危险图案进行归类。技术工程师等基于其归类的结果，通过视觉确认每种类别的代表性图案来进行针对每种类别的风险度确定。

但是，在这样的归类方法中，即使检测区域的尺寸被各种调整，归类结果也可能会大大偏离技术工程师等的观点。结果，由于除了代表性图案之外，技术工程师等需要合适地确认其它的危险图案，所以担心危险度确定需要很多时间。此外，当时间有限时，还担心危险度确定的准确性降低并且装置制造时的成品率降低。

考虑到这种情形进行了后面描述的实施例。根据本说明书的描述和附图，本发明的其它目的和新颖特征将变得明显。

在根据本发明的一个方面的检查掩模图案的方法中，当对在光刻一致性查验中提取的检测点进行归类时，为每个检测点提供以检测点为中心的垂直长检测区域和水平长检测区域。垂直长检测区域是在垂直方向上比在水平方向上长的矩形检测区域。水平长检测区域是在水平方向上比在垂直方向上长的矩形检测区域。此外，在掩模图案检查方法中，基于包括在垂直长检测区域中的图案的标识和包括在水平长检测区域中的图案的标识来对多个检测点进行归类。

根据本发明的一个方面，可以缩短光刻一致性查验中的风险度确定所需的时间。

附图说明

图1是示出半导体装置的示意性开发/制造方法的流程图；

图2是示出在根据本发明的实施例1的掩模图案检查方法中在图1中设置的各检测区域的形状的一个示例的图示；