[发明专利]掺杂元素纳米线多型互嵌碳化硅晶体管有效
| 申请号： | 201810062085.4 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108491933B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 张洪涛;张泽森 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | G06N10/40 | 分类号： | G06N10/40 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 郑勤振 |
| 地址： | 430068 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，是量子计算处理器的基本单元。所述基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它的第一个主自由度分配给写入操作，第二个主自由度分配给读出操作，其中第一和第二主自由度之一是一个自旋电子电荷，而另外一个是一个相位。本发明的晶体管的量子位有相位和电荷两个自由度，在室温下，可以测量量子信号，这给量子计算机的制造和运行提供了重大机遇。本发明量子位是基于自旋单电子电磁场效应晶体管，可以大规模集成制造，有望应用于新一代量子计算机或者传感设备。避免了超导量子位的低温不稳定缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 元素 纳米 线多型互嵌 碳化硅 晶体管 | ||
【主权项】：
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