[发明专利]制备集成共路干涉电场传感器的最优光学偏置点筛选方法有效
申请号: | 201810061762.0 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN108387788B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 曾嵘;庄池杰;汪海;余占清;王博 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R29/14 | 分类号: | G01R29/14 |
代理公司: | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备集成共路干涉电场传感器的最优光学偏置点筛选方法,属于光学电场传感器技术领域。该方法先根据静态偏置点随光波波长及光波导预扩散宽度的分布曲线,在制造集成共路干涉电场传感器所需的晶片单元上,设置N条具有不同预扩散宽度的平行光波导,并在常用光源波段中选取M条具有不同波长的光波;然后将设置的N条光波导的预扩散宽度值和选取的M条光波的波长值两两相乘进行组合,筛选出最接近90°的光学偏置点作为最优光学偏置点,并确定该最优光学偏置点所在的光波导;最后根据筛选出的所述晶片单元上具有最优光学偏置点的光波导,制造集成共路干涉电场传感器。本发明能够降低光波导设计和测试的复杂度,提高晶片的利用率。 | ||
搜索关键词: | 偏置点 电场传感器 光波导 共路 筛选 干涉 晶片单元 制备集成 光波 波长 扩散 相乘 光波导设计 平行光波导 分布曲线 光波波长 光源波段 静态偏置 复杂度 晶片 制造 测试 | ||
【主权项】:
1.一种制备集成共路干涉电场传感器的最优光学偏置点筛选方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS101:根据静态偏置点随光波波长及光波导预扩散宽度的分布曲线,在制造集成共路干涉电场传感器所需的晶片单元上,设置N条具有不同预扩散宽度且相互独立的平行光波导,并在常用光源波段中选取M条具有不同波长的光波;其中,N条光波导预扩散宽度的差值满足使N条光波导的静态偏置点在静态偏置点随光波波长及光波导预扩散宽度的分布曲线上相差不超过20°,并满足在M种不同波长下,N条光波导均处于单模通光状态;/nS102:将所述晶片单元上设置的N条光波导的预扩散宽度值和选取的M条光波的波长值两两相乘进行组合,得到共计M×N种组合,从该M×N种组合中筛选出由光波导双折射产生的附加相位差最接近90°的光学偏置点作为最优光学偏置点,并确定该最优光学偏置点所在的光波导;/nS103:根据筛选出的所述晶片单元上具有最优光学偏置点的光波导,制造集成共路干涉电场传感器。/n
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