[发明专利]一种高强度高电导率铜铬锆合金及其低温变形制备方法有效
| 申请号： | 201810059243.0 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110066939B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 孙利昕;张志远;陶乃镕;卢柯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22F1/08 | 分类号： | C22F1/08;C22C9/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及铜合金及其应用领域，具体涉及一种高强度高电导率铜铬锆合金及其低温变形制备方法。该合金的化学成分质量百分比为：铬0.2～1.5％，锆0.05～0.2％，其余为铜及不可避免的杂质。该合金典型的组织为具有纳米尺度变形结构的铜基体和弥散分布的铬颗粒。其中典型的纳米结构为变形孪晶束，孪晶层片厚度20～100纳米，孪晶束尺寸数微米至数百微米。弥散分布的铬颗粒粒径在10～100纳米。该合金具有700MPa级别强度，同时电导率在78～82％IACS范围。该合金的制造包括合金坯熔铸热加工及低温变形两部分。本发明合金具有强度高、电导率高、软化温度高、耐磨、焊接性优良等特点，可适用于现有铜铬锆合金使用领域，以及对强度‑电导率有更高要求的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强度 电导率 铜铬锆 合金 及其 低温 变形 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高强度高电导率铜铬锆合金，其特征在于，该合金的化学组成质量百分比为Cr：0.2～1.5，Zr：0.05～0.2％，余量为铜及不可避免的杂质。
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