[发明专利]一种高强度高电导率铜铬锆合金及其低温变形制备方法有效

专利信息
申请号: 201810059243.0 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN110066939B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 孙利昕;张志远;陶乃镕;卢柯 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C22F1/08 分类号: C22F1/08;C22C9/00
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 强度 电导率 铜铬锆 合金 及其 低温 变形 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高强度高电导率铜铬锆合金的低温变形制备方法,其特征在于,该合金的化学组成质量百分比为Cr:0.2~1.5,Zr:0.05~0.2%,余量为铜及不可避免的杂质;按合金组分真空熔炼合金,热变形制备合金坯,对合金坯进行预时效处理,将预时效合金坯低温保温,对低温合金坯进行低温变形,对达到设计变形量及尺寸的低温变形合金坯进行精整得到成品;

预时效处理温度采用600±20摄氏度,预时效处理时间根据坯料形状及尺寸在20分钟至5小时;

根据坯料形状和尺寸,合金坯低温保温环节的温度范围在-196摄氏度至-50摄氏度之间;

合金坯低温保温后的低温变形仍在低温环境下进行,温度范围在-196摄氏度至-50摄氏度之间。

2.根据权利要求1所述的高强度高电导率铜铬锆合金的低温变形制备方法,其特征在于,熔炼和热变形方法采用并不限于:真空熔炼-铸锭-热挤压或连铸连挤。

3.根据权利要求1所述的高强度高电导率铜铬锆合金的低温变形制备方法,其特征在于,该合金典型的显微组织为弥散分布的Cr颗粒及纳米结构变形铜基体。

4.根据权利要求1所述的高强度高电导率铜铬锆合金的低温变形制备方法,其特征在于,该合金基体典型结构为变形孪晶束,其孪晶平均层片厚度为20~100纳米,孪晶束尺寸为0.5~100微米。

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