[发明专利]装配薄膜光电子器件的工艺在审
| 申请号： | 201810054202.2 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN108198875A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·R·弗里斯特;李圭相 | 申请（专利权）人： | 密歇根大学董事会 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及装配薄膜光电子器件的工艺。所述工艺可包括：提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区，其中所述牺牲层被置于所述晶圆与所述器件区之间，并且其中所述器件区具有最远离所述晶圆的表面；提供主基板，其中所述主基板包含金属箔；在所述器件区的表面上沉积第一金属层；在所述主基板上沉积第二金属层；通过在接合温度下将所述第一金属层和所述第二金属层压在一起来使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的熔化温度和500℃中的较低者。 | ||
| 搜索关键词： | 器件区 主基板 第二金属层 第一金属层 接合 晶圆 薄膜光电子器件 牺牲层 沉积 装配 熔化 温度高于室温 生长表面 生长 金属箔 | ||
【主权项】：
1.一种装配薄膜光电子器件的工艺，包括：提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区，其中所述牺牲层被置于所述晶圆与所述器件区之间，并且其中所述器件区具有最远离所述晶圆的表面；提供主基板，其中所述主基板包含金属箔；在所述器件区的表面上沉积第一金属层；在所述主基板上沉积第二金属层；通过在接合温度下将所述第一金属层和所述第二金属层压在一起来使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的熔化温度和500℃中的较低者。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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