[发明专利]单端存储器接口中的高信号电压容差在审

专利信息
申请号: 201810051042.6 申请日: 2018-01-19
公开(公告)号: CN110061731A 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 谢毅;于跃 申请(专利权)人: 综合器件技术公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/0175
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开涉及单端存储器接口中的高信号电压容差。装置包括线路端接电路和连续时间线性均衡器电路。线路端接电路可以被配置为响应输入信号生成数据信号。输入信号通常存在于第一电压域中。输入信号可以是单端的。数据信号可以在第一电压域中生成。连续时间线性均衡器电路可以被配置为通过相对于参考电压均衡数据信号生成中间信号。连续时间线性均衡器电路通常在第二电压域中操作。第一电压域可以高于第二电压域。
搜索关键词: 电压域 均衡器电路 时间线性 存储器接口 信号电压 线路端 单端 容差 电路 均衡数据信号 响应输入信号 参考电压 生成数据 数据信号 中间信号 配置
【主权项】:
1.一种装置,包括:线路端接电路,被配置为响应输入信号生成数据信号,其中(i)所述输入信号存在于第一电压域中,(ii)所述输入信号是单端的,以及(iii)所述数据信号在所述第一电压域中生成;以及连续时间线性均衡器电路,被配置为通过相对于参考电压均衡所述数据信号来生成中间信号,其中(i)所述连续时间线性均衡器电路在第二电压域中操作,以及(ii)所述第一电压域高于所述第二电压域。
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