[发明专利]离子植入机及其使用方法在审
| 申请号： | 201810049885.2 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108231523A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邸太平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种离子植入机及其使用方法，其中离子植入机包括：离子源；装载装置，经过所述装载装置中心与离子源中心的直线为中心轴；位于离子源和装载装置之间的处理腔室，所述处理腔室的两侧分别具有与离子源对应第一开口、以及与装载装置对应的第二开口，且所述第一开口的中心和第二开口的中心在所述中心轴上；位于处理腔室内的磁场装置，所述磁场装置包括永磁体以及线圈，所述磁场装置用于产生垂直于所述中心轴的矫正磁场。所述方法能够提高反应腔室射出的离子束的平行度。 | ||
| 搜索关键词： | 装载装置 离子源 离子植入机 磁场装置 中心轴 开口 处理腔室 反应腔室 处理腔 离子束 平行度 永磁体 射出 磁场 矫正 垂直 室内 | ||
【主权项】：
1.一种离子植入机，其特征在于，包括：离子源；装载装置，经过所述装载装置中心与离子源中心的直线为中心轴；位于离子源和装载装置之间的处理腔室，所述处理腔室的两侧分别具有与离子源对应第一开口、以及与装载装置对应的第二开口，且所述第一开口的中心和第二开口的中心在所述中心轴上；位于处理腔室内的磁场装置，所述磁场装置包括永磁体以及线圈，所述磁场装置用于产生垂直于所述中心轴的矫正磁场。
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