[发明专利]鳍式场效应晶体管器件和方法有效
| 申请号： | 201810042939.2 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109427684B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王尹;周鸿儒;郭俊铭;林玮耿;李俊德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括在衬底的第一区域中的第一鳍上方形成半导体覆盖层，在半导体覆盖层上方形成介电层，以及在介电层上方形成绝缘材料，该绝缘材料的上表面比第一鳍的上表面更远离衬底延伸。该方法还包括使绝缘材料凹进以暴露第一鳍的顶部；以及在第一鳍的顶部上方形成栅极结构。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成鳍式场效应晶体管器件的方法，包括：在衬底的第一区域中的第一鳍上方形成半导体覆盖层；在所述半导体覆盖层上方形成介电层；在所述介电层上方形成绝缘材料，所述绝缘材料的上表面比所述第一鳍的上表面更远离所述衬底延伸；使所述绝缘材料凹进以暴露所述第一鳍的顶部；以及在所述第一鳍的顶部上方形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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