[发明专利]一种半导体材料辐照损伤的表征方法在审
| 申请号： | 201810042823.9 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108414613A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王雨田;郭辉;药幸楠;张晨旭;韩超;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/82 | 分类号： | G01N27/82 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体材料辐照损伤的表征方法，该方法包括：制备待测样品并测量生成第一磁化曲线；根据所述第一磁化曲线计算所述待测样品的第一缺陷数量；辐照所述待测样品并测量生成第二磁化曲线；根据所述第二磁化曲线计算经辐照后的所述待测样品的第二缺陷数量；根据所述第一缺陷数量和所述第二缺陷数量计算所述待测样品在辐照过程中产生的第三缺陷数量。在半导体材料中，初次碰撞产生的点缺陷(如空位)通常都是顺磁性的，且其磁滞回线满足布里渊函数，因此可以通过布里渊函数的拟合计算出顺磁性中心缺陷的数量，从而确定因小剂量辐照产生的缺陷数量。 | ||
| 搜索关键词： | 待测样品 磁化曲线 半导体材料 辐照 辐照损伤 顺磁性 测量 磁滞回线 辐照过程 拟合计算 数量计算 中心缺陷 点缺陷 小剂量 空位 制备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料辐照损伤的表征方法，其特征在于，包括：制备待测样品并测量生成第一磁化曲线；根据所述第一磁化曲线计算所述待测样品的第一缺陷数量；辐照所述待测样品并测量生成第二磁化曲线；根据所述第二磁化曲线计算经辐照后的所述待测样品的第二缺陷数量；根据所述第一缺陷数量和所述第二缺陷数量计算所述待测样品在辐照过程中产生的第三缺陷数量。
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