[发明专利]一种低功耗大容量存储系统及应用有效

专利信息
申请号: 201810042079.2 申请日: 2018-01-17
公开(公告)号: CN108255763B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 杨志国;姜莹;顾荷炎;刘保华;于凯本;于盛齐;宗乐;张晓波 申请(专利权)人: 国家深海基地管理中心;国家海洋局第一海洋研究所;杭州锐讯科技有限公司
主分类号: G06F13/40 分类号: G06F13/40;G06F13/20
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 266237 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种低功耗大容量存储系统及其应用,属于海洋仪器领域,本发明主要通过构建TF/SD卡矩阵的方式实现低功耗大容量存储系统,其核心是TF/SD卡矩阵控制器。系统通过矩阵控制器将一路SDIO总线扩张至多路,每路SDIO总线上又同时挂载多张TF/SD卡。数据写入过程采用时分的方式,由MCU控制同一时刻只选择一个SDIO通道以及该SDIO通道上的一张TF/SD卡,其他TF/SD卡则关闭供电,进行低功耗处理。数据读取过程则同时选通所有SDIO通道,各个通道的TF/SD卡数据并行输出,以到达快速读取的目的。
搜索关键词: 低功耗 大容量存储系统 矩阵控制器 总线 矩阵 数据读取过程 数据写入过程 海洋仪器 快速读取 同一时刻 卡数据 构建 挂载 选通 应用 并行 供电 输出
【主权项】:
1.一种低功耗大容量存储系统,其特征在于所述系统包括低功耗MCU,高速接口、TF/SD卡矩阵控制器、SDIO总线、扩张SDIO总线、TF/SD卡;TF/SD卡矩阵控制器控制端连接带SDIO控制器的低功耗MCU;所述系统通过TF/SD卡矩阵控制器将一路SDIO控制器扩张至多路扩张SDIO总线,每路扩张SDIO总线上又同时挂载多张TF/SD卡;数据写入过程采用时分的方式,由低功耗MCU控制同一时刻只选择一个扩张SDIO总线通道以及其对应的该通道上的一张TF/SD卡,其他TF/SD卡则关闭供电,进行低功耗处理;数据读取过程则同时选通所有扩张SDIO总线通道,各个通道的TF/SD卡数据并行输出,以到达快速读取的目的;高速接口通过高速总线连接TF/SD卡矩阵控制器控制端。
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