[发明专利]制造太阳能电池的方法有效
| 申请号： | 201810039075.9 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108336170B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李京洙;黄圣贤;朴相昱 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0376 | 分类号： | H01L31/0376;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种制造太阳能电池的方法。该制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上沉积本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层上沉积包含杂质的非晶硅层以形成导电区域；以及形成与所述导电区域电连接的电极。沉积本征非晶硅层的步骤包括以0.5nm/秒至2.0nm/秒的沉积速率在所述半导体基板的表面上沉积所述本征非晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上沉积本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层上沉积包含杂质的非晶硅层，以形成导电区域；以及形成与所述导电区域电连接的电极，其中，沉积所述本征非晶硅层的步骤包括：以约0.5nm/秒至约2.0nm/秒的沉积速率在所述半导体基板的表面上沉积本征非晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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