[发明专利]制造太阳能电池的方法有效
| 申请号： | 201810039075.9 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108336170B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李京洙;黄圣贤;朴相昱 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0376 | 分类号： | H01L31/0376;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 太阳能电池 方法 | ||
1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：
在具有第一导电类型的半导体基板的第一表面上形成第一本征非晶硅层并且在所述半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上形成第二本征非晶硅层；
通过在所述第一本征非晶硅层上沉积包含第二导电类型杂质的非晶硅层来形成第一导电区域并且通过在所述第二本征非晶硅层上沉积包含第一导电类型杂质的非晶硅层来形成第二导电区域，其中，所述第一导电区域和所述半导体基板形成p-n结且所述第一本征非晶硅层插置在所述第一导电区域和所述半导体基板之间；以及
形成与所述第一导电区域电连接的第一电极和与所述第二导电区域电连接的第二电极，
其中，所述第一本征非晶硅层和所述第二本征非晶硅层是以约0.5nm/秒至约2.0nm/秒的沉积速率进行沉积的，并且
其中，所述第一本征非晶硅层的沉积速率大于所述第二本征非晶硅层的沉积速率。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，用于沉积所述第一本征非晶硅层和所述第二本征非晶硅层的沉积装置的功率密度为约60mW/cm2至约150mW/cm2。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，用于沉积所述第一本征非晶硅层和所述第二本征非晶硅层的氢气(H2)的量(sccm)与硅烷(SiH4)气体的量(sccm)的比例是约1:1至约1:100。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一本征非晶硅层和所述第二本征非晶硅层时的工艺温度为约100℃至约200℃。
5.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述第一导电区域上形成由透明导电氧化物形成的第一透明电极层并且在所述第二导电区域上形成由透明导电氧化物形成的第二透明电极层，
其中，在形成所述第一电极和所述第二电极时，所述第一电极与所述第一透明电极层连接并且所述第二电极与所述第二透明电极层连接。
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