[发明专利]相移掩模坯料及使用其的相移掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法在审
申请号: | 201810034453.4 | 申请日: | 2018-01-15 |
公开(公告)号: | CN108319103A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 坪井诚治;安森顺一 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26;G03F1/62;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种用于形成显示装置用相移掩模的相移掩模坯料,所述显示装置用相移掩模具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性、且形成了微细的图案而使转印精度变得良好。该相移掩模坯料在透明基板上具备相移膜,相移膜由金属系材料或金属硅化物系材料构成,相移膜具有相移层、配置于该相移层的上侧的减反射层、以及配置于相移层和减反射层之间的中间层,中间层是具有比减反射层的金属含有率更高的金属含有率的金属系材料、或者是具有比减反射层的金属和硅的总含有率更高的总含有率的金属硅化物系材料,相移膜的膜面反射率在350nm~436nm的波长范围为15%以下,相移膜对于从透明基板侧入射的光的背面反射率在365nm~436nm的波长范围为20%以下。 | ||
搜索关键词: | 相移掩模 相移 减反射层 显示装置 相移层 坯料 金属硅化物 金属系材料 透明基板 中间层 波长 金属 图案截面形状 膜面反射率 微细 反射率 均匀性 入射 转印 配置 背面 制造 图案 | ||
【主权项】:
1.一种相移掩模坯料,其在透明基板上具备相移膜,所述相移膜由金属系材料或金属硅化物系材料中的至少任一种材料构成,所述金属系材料含有1种以上金属和选自氧、氮、碳中的至少一者,所述金属硅化物系材料含有1种以上金属、硅和选自氧、氮、碳中的至少一者,所述相移膜具有相移层、减反射层和中间层,所述相移层主要具有调整对于曝光光的透射率和相位差的功能,所述减反射层配置于该相移层的上侧,主要具有降低对于从所述相移膜侧入射的光的反射率的功能,所述中间层配置于所述相移层和所述减反射层之间,所述中间层是具有比所述减反射层的金属含有率更高的金属含有率的金属系材料,或者是具有比所述减反射层的所述金属含有率或所述减反射层的金属和硅的总含有率更高的总含有率的金属硅化物系材料,通过所述相移层、所述中间层及所述减反射层的叠层结构,所述相移膜对于曝光光的透射率和相位差具有给定的光学特性,所述相移膜对于从所述相移膜侧入射的光的膜面反射率在350nm~436nm的波长范围为15%以下,并且所述相移膜对于从所述透明基板侧入射的光的背面反射率在365nm~436nm的波长范围为20%以下。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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