[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810033460.2 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108305894B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 金钟寿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底和在衬底上形成的第一源极/漏极区。所述半导体器件还包括在第一源极/漏极区上形成的沟道以及在所述沟道上形成的第二源极/漏极区。所述半导体器件还包括在所述沟道的外表面上形成的栅电极以及在所述衬底上形成的金属焊盘。所述金属焊盘的上表面的高度与所述栅电极的上表面的长度相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的第一源极/漏极区；在所述第一源极/漏极区上形成的沟道；在所述沟道上形成的第二源极/漏极区；在所述沟道的外表面上形成的栅电极；以及在所述衬底上形成的金属焊盘，其中所述金属焊盘的上表面的高度与所述栅电极的上表面的高度相同。
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