[发明专利]一种基于光电传感器的屏下光学指纹识别的方法在审

专利信息
申请号: 201810030310.6 申请日: 2018-01-11
公开(公告)号: CN108416252A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 王凯;许忆彤 申请(专利权)人: 佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 左恒峰
地址: 528399 广东省佛山市顺德区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于光电传感器的屏下光学指纹识别的方法,以在顶部栅极集成光电传感器的多晶硅双栅薄膜晶体管代替传统TFT屏幕内的薄膜晶体管,在图像显示的基础功能上通过触控启动开关切换到指纹采集模式,利用光电传感器采集从手指反射回来的光,并通过电荷放大器被系统读取,从而实现光学指纹识别,即采用单一器件实现液晶显示屏下的指纹图像采集功能,减小手机终端内部空间的占用,为手机终端的高集成化提供了基础。
搜索关键词: 光电传感器 光学指纹 手机终端 双栅薄膜晶体管 读取 指纹图像采集 薄膜晶体管 电荷放大器 液晶显示屏 高集成化 基础功能 启动开关 手指反射 图像显示 指纹采集 多晶硅 触控 减小 采集 占用
【主权项】:
1.一种基于光电传感器的屏下光学指纹识别的方法,其特征在于包括以下步骤:S1:当手指触碰到屏幕时,触控启动开关闭合;S2:模式开关切换到成像端,进入指纹图像采集模式,对偏置端施加负电压使光电传感器反向偏置以处于工作状态,从手指反射回来的光被光电传感器吸收并产生电子空穴对;S3:电子向顶部栅极聚集,使多晶硅双栅薄膜晶体管的阈值电压产生变化,并通过多晶硅双栅薄膜晶体管顶部电容和光电传感器的结电容存储变化电容;S4:对选择端施加负电压,多晶硅双栅薄膜晶体管打开并使电荷流进电荷放大器,使系统获取所采集指纹的电荷信息。
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