[发明专利]一种具备快速泄放信号功能的CCD有效
| 申请号： | 201810026730.7 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108258005B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨洪;白雪平;姜华南 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 卢胜斌 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，主要涉及一种具备快速泄放信号功能的CCD，包括硅衬底，所述硅衬底上邻近设置有转移区和光敏区，其特征在于：所述转移区范围内的硅衬底表面上设置有多晶硅转移栅，多晶硅转移栅表面覆盖有遮光层，遮光层表面淀积有回流层，所述回流层将光敏区覆盖；所述遮光层采用难熔金属或难熔金属合金制作，还包括快速泄放区、以及水平信号通道区，所述快速泄放区设置于光敏区与水平信号通道区之间，本发明利用CCD设置的快速泄放区消除行信号，实现CCD具备开窗功能，减少CCD传送及计算机需要处理的图像信息量，提高CCD帧频。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具备 快速 信号 功能 ccd | ||
【主权项】：
1.一种具备快速泄放信号功能的CCD，包括硅衬底，所述硅衬底上邻近设置有转移区和光敏区，其特征在于：所述转移区范围内的硅衬底表面上设置有多晶硅转移栅，多晶硅转移栅表面覆盖有遮光层，遮光层表面淀积有回流层，所述回流层将光敏区覆盖；所述遮光层采用难熔金属或难熔金属合金制作，其特征在于：还包括快速泄放区、以及水平信号通道区，所述快速泄放区设置于光敏区与水平信号通道区之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
