[发明专利]一种晶圆级GaN器件衬底转移方法有效
| 申请号： | 201810025897.1 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108288582B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 梁世博 | 申请（专利权）人： | 北京华碳科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开一种基于晶圆级GaN器件原始衬底的转移方法，属于半导体工艺技术领域。通过在原片表面覆盖一层可去除的较厚保护支撑层，去除原衬底后，两圆片直接键合。该方法包括如下步骤：(1)对晶圆级GaN器件完成正面工艺后的表面覆盖保护支撑层；(2)去除原始衬底；(3)对圆片背面和待转移的Si衬底表面进行清洗；(4)对圆片背面进行N |
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| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 gan 器件 衬底 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级GaN器件衬底转移方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对晶圆级GaN器件完成正面工艺后的表面覆盖保护支撑层；(2)去除GaN器件的原始衬底；(3)对GaN器件的背面和待转移的Si衬底表面进行清洗；(4)对GaN器件的背面进行N2气等离子体处理；(5)对待转移的Si衬底的晶圆表面进行O2气等离子体处理；(6)将GaN器件和Si衬底的晶圆放入氨水溶液中进行预键合；(7)将预键合后的样品在N2环境下施加压力进行键合；(8)对键合后的晶圆进行低温退火处理；(9)去除低温退火后的晶圆表面的保护支撑层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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