[发明专利]一种晶圆级GaN器件衬底转移方法

权利要求书

1.一种晶圆级GaN器件衬底转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)对晶圆级GaN器件完成正面工艺后的表面覆盖保护支撑层；所述保护支撑层为光敏性BCB，所述光敏性BCB的厚度大于30μm；

(2)去除GaN器件的原始衬底；

(3)对GaN器件的背面和待转移的Si衬底表面进行清洗；

(4)对GaN器件的背面进行N₂气等离子体处理；

(5)对待转移的Si衬底的晶圆表面进行O₂气等离子体处理；

(6)将GaN器件和Si衬底的晶圆放入氨水溶液中进行预键合；所述氨水溶液浓度为10％～40％，温度为30℃～60℃；

(7)将预键合后的样品在N₂环境下施加压力进行键合；所述的N₂环境为键合机腔体环境，键合压力为100Kg～500Kg，键合温度为100℃～200℃，键合时间为0.5h～3h；

(8)对键合后的晶圆进行低温退火处理；所述的低温退火温度为100℃～200℃；所述的低温退火的退火时间为10min～60min；

(9)去除低温退火后的晶圆表面的保护支撑层。

2.根据权利要求1所述的晶圆级GaN器件衬底转移方法，其特征在于，步骤(1)中所述GaN器件为GaN HEMT器件、GaN HBT器件。

3.根据权利要求1所述的晶圆级GaN器件衬底转移方法，其特征在于，在旋涂完光敏性BCB后，将覆盖光敏性BCB的GaN器件放置在平板热烘，热烘温度100℃～200℃，热烘时间100s～200s。

4.根据权利要求1所述的晶圆级GaN器件衬底转移方法，其特征在于，步骤(3)所述的清洗采用标准RCA清洗方法，清洗至少2次，清洗后的表面的表面粗糙度＜1nm。

5.根据权利要求1所述的晶圆级GaN器件衬底转移方法，其特征在于，步骤(4)对GaN器件的背面进行N₂气等离子体处理的工艺条件为：N₂气气体流量为60sccm，功率为200W，时间30s。

6.根据权利要求1所述的晶圆级GaN器件衬底转移方法，其特征在于，步骤(5)对待转移的Si衬底的晶圆表面进行O₂气等离子体处理的工艺条件为：O₂气气体流量为60sccm，功率100W，时间30s。

7.根据权利要求1所述的晶圆级GaN器件衬底转移方法，其特征在于，步骤(9)所述去除低温退火后的晶圆表面的保护支撑层，是将低温退火后的晶圆曝光后放入显影液中溶解去除表面的保护支撑层，所述放入显影液中溶解的时间为5min～15min，温度为50℃～100℃。