[发明专利]一种用于压接式IGBT模块的弹性多孔结构电极有效

专利信息
申请号: 201810013391.9 申请日: 2018-01-07
公开(公告)号: CN108376702B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 谈震;李现兵;武伟;贺定勇;曾勇;张晓雅;王曾洁;王国红;周正;吴旭 申请(专利权)人: 北京工业大学;全球能源互联网研究院有限公司
主分类号: H01L29/417 分类号: H01L29/417;H01L29/739
代理公司: 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 代理人: 刘静
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种用于压接式IGBT模块的弹性多孔结构电极,涉及先进输电技术用IGBT模块领域。将原来刚性凸台式发射极电极端部植入弹性多孔结构,制作成弹性多孔结构电极。在压接装配过程中,保证芯片不受损的情况下通过该结构的弹塑性变形有效的弥补由厚度差异带来的压力分布不均衡。本发明专利是利用3D打印技术中的选区激光熔化技术一体成型制备出弹性多孔结构电极,简化了生产工艺。同时通过合理选择端部多孔结构及材料,满足压接式IGBT中芯片高均流特性和高载流能力的要求。
搜索关键词: 一种 用于 压接式 igbt 模块 弹性 多孔 结构 电极
【主权项】:
1.一种用于压接式IGBT模块的弹性多孔结构电极,其特征在于,即在凸台式刚性发射极电极端部设有或植入弹性多孔结构。
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