[发明专利]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201810004329.3 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108346687B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 张雄;赵见国;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，该晶体管由下至上依次包括衬底(101)、GaN或AlN缓冲层(102)、GaN沟道层(103)、Al |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于：该晶体管自下至上依次为衬底(101)、GaN或AlN缓冲层(102)、GaN沟道层(103)和AlxGa1‑xN势垒层(104)，且0
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