[发明专利]提供晶体管的受应力沟道的装置、方法和系统在审
| 申请号： | 201780094469.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111033756A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | R.梅汉德鲁;S.M.塞亚;T.加尼;A.S.墨菲 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李伟森;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用来在晶体管上施加应力的技术和机制，该晶体管包括各自在鳍片结构中的沟道区域和源极或漏极区域。在一实施例中，晶体管的栅极结构在鳍片结构上延伸，其中第一间隔物部分在栅极结构的侧壁处，且第二间隔物部分邻接第一间隔物部分。两个特征中的任一个或二者存在于间隔物部分的相应底部边缘处或下方。特征之一包括鳍片结构上的不连续线。另一特征包括第二间隔物部分中掺杂剂的浓度大于源极或漏极区域中掺杂剂的浓度。在另一实施例中，鳍片结构被设置在缓冲层上，其中沟道区域上的应力至少部分地通过缓冲层来施加。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 晶体管 应力 沟道 装置 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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