[发明专利]硅晶片的双面抛光方法

摘要

本发明提供一种可抑制在抛光后的硅晶片的正背面上产生微痕的硅晶片的双面抛光方法。本发明是利用双面抛光装置同时抛光硅晶片的正面及背面的硅晶片的双面抛光方法，其连续地包括：第1抛光工序，一边将由包含磨粒的碱水溶液构成的第1抛光液供给至抛光布，一边进行双面抛光；抛光液切换工序，在第1抛光工序之后，保持着使上平台及下平台的抛光布分别与硅晶片的正面及背面接触的状态，并且在使上平台及下平台继续旋转的状态下，停止第1抛光液的供给，并且开始供给由不含磨粒而包含水溶性高分子的碱水溶液构成的第2抛光液；以及第2抛光工序，在所述抛光液切换工序之后，一边将第2抛光液供给至抛光布，一边进行双面抛光。