[发明专利]用于提升NMOS晶体管中的沟道应力的器件、方法和系统在审
| 申请号： | 201780094370.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111095529A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | R·米恩德鲁;A·默西;K·贾姆布纳坦;C·邦伯格 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于在NMOS晶体管的沟道区上施加应力的技术和机制。在实施例中，半导体衬底上的鳍状物结构包括晶体管的两个源极区或漏极区，其中，晶体管的沟道区位于源极区或漏极区之间。至少在这种源极区或漏极区上包括掺杂的硅锗(SiGe)化合物，其中，SiGe化合物中的位错导致至少一个源极区或漏极区在沟道区上施加拉应力。在另一实施例中，晶体管的源极区或漏极区均包括包含至少50wt％的锗的SiGe化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提升 nmos 晶体管 中的 沟道 应力 器件 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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