[发明专利]场效应晶体管有效
| 申请号： | 201780094262.0 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN111052322B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 渡边伸介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/338;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及的场效应晶体管具有：半导体基板；多个漏极电极，它们设置于半导体基板的第一面，在第一方向延伸；多个源极电极，它们与多个漏极电极彼此交替地排列；多个栅极电极，它们各自设置于多个源极电极和多个漏极电极之间；输入端子，其与多个栅极电极连接；输出端子，其与多个漏极电极连接；以及多个金属层，它们在半导体基板与第一面分离地设置，在与第一方向交叉的第二方向延伸，多个金属层包含第一金属层和第二金属层，该第二金属层比第一金属层长，从与第一面垂直的方向观察，相比于第一金属层，第二金属层与更多的漏极电极交叉，多个漏极电极中越是从输入端子至输出端子为止的线路长度短的漏极电极则在其正下方设置越多的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780094262.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
